Vi har lyckats generera en spinn-polarisation av ledningsbandselektroner på över 90% vid rumstemperatur i kvantprickar tillverkade av InAs. Detta är den högsta spinn-polarisation som någonsin uppmätts i en halvledare.

En rekordhög spinn-polarisation av elektroner i ledningsbandet, på över 90% vid rumstemperaturEn rekordhög spinn-polarisation av elektroner i ledningsbandet, på över 90% vid rumstemperaturEn fördel som är unik för halvledarspinntronik är möjligheten att integrera spinnbaserad informationshantering med fotonbaserad kommunikation. Dessvärre har utvecklingen av denna typ av teknik motverkats av svårigheten att skapa total spinn-polarisation av laddningsbärare i halvledare vid rumstemperatur, vilket är en kritisk byggsten för sådan teknik.

Här visar vi att det är möjligt att generera elektroner i en icke-magnetisk halvledares ledningsband med över 90% spinn-polarisation vid rumstemperatur, utan att använda externa magnetfält, och att denna effekt kvarstår vid temperaturer så höga som 110°C. Med denna artikel visar vi att det är fullt genomförbart att implementera opto-spinntronik med halvledande nanostrukturer.

Artikeln i sin helhet går att hitta här: https://doi.org/10.1038/s41566-021-00786-y

Below is a list of press releases and news coverages covering this achievement: