Hem
Fotografi av Ray-Hua Horng

Ray-Hua Horng

Gästprofessor

Gästprofessor

Publikationer

2026

Yu-Hsuan Hsu, Roger Magnusson, Rohini Sanikop, Shailesh Kalal, Justinas Palisaitis, Sagar Jathar, Katrin Pingen, Per Sandström, Issa Nseir, Arnaud le Febvrier, Urban Forsberg, Ray-Hua Horng, Kenneth Järrendahl, Per Eklund, Vanya Darakchieva, Jens Birch, Ching-Lien Hsiao (2026) Growth and optical properties of polar-, nonpolar, and semi-polar wurtzite ScGaN films Applied Physics Letters, Vol. 129, Artikel 031902 (Artikel i tidskrift) https://dx.doi.org/10.1063/5.0325421
Zhong-Lin Ye, Siddharth Rana, Sheng-Ti Chung, Irmantas Kasalynas, Kenneth Järrendahl, Ching-Lien Hsiao, Ray-Hua Horng (2026) High-performance lateral ß-Ga2O3 Schottky barrier diodes enabled by (Al0.21Ga0.79)2O3/Ga2O3 heterostructure, sidewall electrodes, and dielectric field-plate engineering Results in Engineering (RINENG), Vol. 31, Artikel 111339 (Artikel i tidskrift) https://dx.doi.org/10.1016/j.rineng.2026.111339
Ho-Young Kim, Jeong-Hwan Park, Dong Sing Wuu, Ray-Hua Horng, Tae-Yeon Seong, Hiroshi Amano (2026) Current status of micro-display technology based on micro-light-emitting diodes Progress in Quantum Electronics, Vol. 108, Artikel 100630 (Artikel, forskningsöversikt) https://dx.doi.org/10.1016/j.pquantelec.2026.100630
Po-Chuan Liao, Hao-Wei Chang, Siddharth Rana, Chien-Nan Hsiao, Tae-Yeon Seong, Dong-Sing Wuu, Irmantas Kasalynas, Ray-Hua Horng (2026) Study of Ferroelectric Stack Thickness and Annealing Sequence Effects on GaN HEMTs with Hybrid Ferroelectric Stacks Gate ACS Applied Electronic Materials, Vol. 8, s. 4247-4256 (Artikel i tidskrift) https://dx.doi.org/10.1021/acsaelm.6c00387
Chun-Chia Chang, Sheng-Ti Chung, Ching-Ho Tien, Siddharth Rana, Kenneth Järrendahl, Ching-Lien Hsiao, Yu-Chen Yang, Kun-Lin Lin, Irmantas Kasalynas, Ray-Hua Horng (2026) Enabled enhancement mode ß-Ga2O3 MOSFETs with high-? HfO2 gate dielectric and non-recess structure Materials Today Advances, Vol. 30, Artikel 100760 (Artikel i tidskrift) https://dx.doi.org/10.1016/j.mtadv.2026.100760

Organisation

Bilden föreställer ett plasma i en ytbeläggningsutrustning

Tunnfilmsfysik (TUNNF)

Forskningen på vår avdelning handlar om design av nya multifunktionella material för hårda och slitstarka beläggningar, energimaterial, magnetiska material, elektronik, neutronkonverteringsmaterial för ESS, wide-bandgap halvledare och mer.