Hem

Hsu Chih-Wei

Förste forskningsingenjör

Publikationer

2023

Galia Pozina, Hsu Chih-Wei, Natalia Abrikossova, Carl Hemmingsson (2023) Plasma-Assisted Halide Vapor Phase Epitaxy for Low Temperature Growth of III-Nitrides Crystals, Vol. 13, Artikel 373 Vidare till DOI
Henrik Pedersen, Hsu Chih-Wei, Neeraj Nepal, Jefferey M. Woodward, Charles R. Eddy (2023) Atomic Layer Deposition as the Enabler for the Metastable Semiconductor InN and Its Alloys Crystal Growth & Design, Vol. 23, s. 7010-7025 Vidare till DOI

2022

Galia Pozina, Hsu Chih-Wei, Natalia Abrikossova, Carl Hemmingsson (2022) Numerical Modelling for the Experimental Improvement of Growth Uniformity in a Halide Vapor Phase Epitaxy Reactor for Manufacturing beta-Ga2O3 Layers Crystals, Vol. 12, Artikel 1790 Vidare till DOI
Chih-Wei Hsu, Ivan Martinovic, Roger Magnusson, Babak Bakhit, Justinas Palisaitis, Per O A Persson, Polla Rouf, Henrik Pedersen (2022) Homogeneous high In content InxGa1-x N films by supercycle atomic layer deposition Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces, and Films, Vol. 40, Artikel 060402 Vidare till DOI
Son Phuong Le, Chih-Wei Hsu, Ivan Martinovic, Ivan Gueorguiev Ivanov, Per-Olof Holtz (2022) GaN-based light-emitting materials prepared by hot-wall metal-organic chemical vapor deposition Applied Physics A: Materials Science & Processing, Vol. 128, Artikel 801 Vidare till DOI

Nyheter

Manlig forskare vid ett helt tätt dragskåp i ett kemilabb.

Kemi banar väg för bättre elektronikmaterial

Indiumnitrid är ett mycket lovande material, men svårt att tillverka. Forskare vid LiU har utvecklat en ny molekyl med vilken de kan skapa indiumnitrid av hög kvalitet, vilket kan öppna upp för att använda det i exempelvis högfrekvenselektronik.

Taggar