Hsu Chih-Wei

Förste forskningsingenjör

Publikationer

2025

Galia Pozina, Hsu Chih-Wei, Natalia Abrikossova, Carl Hemmingsson (2025)

Effect of substrate pretreatment on the epitaxial growth of ?-Ga2O3 layers on sapphire by halide vapor phase epitaxy Journal of Crystal Growth, Vol. 668, Artikel 128289 (Artikel i tidskrift)

https://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2025.128289

2024

Satoru Yoshioka, Kazuhiro Yasuda, Ching-Lien Hsiao, Chih-Wei Hsu, Weine Olovsson, Jens Birch, Carl Hemmingsson, Galia Pozina (2024)

Local Structure of Zn Dopant in ß-Phase Ga₂O₃ The Journal of Physical Chemistry C, Vol. 128, s. 18879-18885 (Artikel i tidskrift)

https://dx.doi.org/10.1021/acs.jpcc.4c05657

2023

Galia Pozina, Hsu Chih-Wei, Natalia Abrikossova, Carl Hemmingsson (2023)

Plasma-Assisted Halide Vapor Phase Epitaxy for Low Temperature Growth of III-Nitrides Crystals, Vol. 13, Artikel 373 (Artikel i tidskrift)

https://dx.doi.org/10.3390/cryst13030373

Henrik Pedersen, Hsu Chih-Wei, Neeraj Nepal, Jefferey M. Woodward, Charles R. Eddy (2023)

Atomic Layer Deposition as the Enabler for the Metastable Semiconductor InN and Its Alloys Crystal Growth & Design, Vol. 23, s. 7010-7025 (Artikel i tidskrift)

https://dx.doi.org/10.1021/acs.cgd.3c00775

2022

Galia Pozina, Hsu Chih-Wei, Natalia Abrikossova, Carl Hemmingsson (2022)

Numerical Modelling for the Experimental Improvement of Growth Uniformity in a Halide Vapor Phase Epitaxy Reactor for Manufacturing beta-Ga2O3 Layers Crystals, Vol. 12, Artikel 1790 (Artikel i tidskrift)

https://dx.doi.org/10.3390/cryst12121790

Nyheter

Manlig forskare vid ett helt tätt dragskåp i ett kemilabb.

Kemi banar väg för bättre elektronikmaterial

Indiumnitrid är ett mycket lovande material, men svårt att tillverka. Forskare vid LiU har utvecklat en ny molekyl med vilken de kan skapa indiumnitrid av hög kvalitet, vilket kan öppna upp för att använda det i exempelvis högfrekvenselektronik.