2023 Dat Tran (2023) Thermal conductivity of wide and ultra-wide bandgap semiconductors Dat Tran, Ferenc Tasnadi, Agne Zukauskaite, Jens Birch, Vanya Darakchieva, Plamen Paskov (2023) Thermal conductivity of ScxAl1-xN and YxAl1-xN alloys Applied Physics Letters, Vol. 122, Artikel 182107 Vidare till DOI Hengfang Zhang, Ingemar Persson, Jr-Tai Chen, Alexis Papamichail, Dat Tran, Per O A Persson, Plamen P. Paskov, Vanya Darakchieva (2023) Polarity Control by Inversion Domain Suppression in N-Polar III-Nitride Heterostructures Crystal Growth & Design, Vol. 23, s. 1049-1056 Vidare till DOI 2022 Dat Tran, Rosalia Delgado Carrascon, Motoaki Iwaya, Bo Monemar, Vanya Darakchieva, Plamen Paskov (2022) Thermal conductivity of AlxGa1-xN (0 <= x <= 1) epitaxial layers Physical Review Materials, Vol. 6, Artikel 104602 Vidare till DOI Philipp Kuhne, Nerijus Armakavicius, Alexis Papamichail, Dat Tran, Vallery Stanishev, Mathias Schubert, Plamen Paskov, Vanya Darakchieva (2022) Enhancement of 2DEG effective mass in AlN/Al0.78Ga0.22N high electron mobility transistor structure determined by THz optical Hall effect Applied Physics Letters, Vol. 120 Vidare till DOI
Dat Tran, Ferenc Tasnadi, Agne Zukauskaite, Jens Birch, Vanya Darakchieva, Plamen Paskov (2023) Thermal conductivity of ScxAl1-xN and YxAl1-xN alloys Applied Physics Letters, Vol. 122, Artikel 182107 Vidare till DOI
Hengfang Zhang, Ingemar Persson, Jr-Tai Chen, Alexis Papamichail, Dat Tran, Per O A Persson, Plamen P. Paskov, Vanya Darakchieva (2023) Polarity Control by Inversion Domain Suppression in N-Polar III-Nitride Heterostructures Crystal Growth & Design, Vol. 23, s. 1049-1056 Vidare till DOI
Dat Tran, Rosalia Delgado Carrascon, Motoaki Iwaya, Bo Monemar, Vanya Darakchieva, Plamen Paskov (2022) Thermal conductivity of AlxGa1-xN (0 <= x <= 1) epitaxial layers Physical Review Materials, Vol. 6, Artikel 104602 Vidare till DOI
Philipp Kuhne, Nerijus Armakavicius, Alexis Papamichail, Dat Tran, Vallery Stanishev, Mathias Schubert, Plamen Paskov, Vanya Darakchieva (2022) Enhancement of 2DEG effective mass in AlN/Al0.78Ga0.22N high electron mobility transistor structure determined by THz optical Hall effect Applied Physics Letters, Vol. 120 Vidare till DOI
Halvledar- och komponentmaterial Den här enheten arbetar med att utveckla nya halvledarmaterial för högfrekvent- och kraftelektronik
Institutionen för fysik, kemi och biologi (IFM) Vid Institutionen för fysik, kemi och biologi (IFM) bedrivs forskning och utbildning inom biologi, kemi, materialfysik, tillämpad fysik och teori och modellering.