Ching-Lien Hsiao är universitetslektor vid Institutionen för fysik, kemi och biologi (IFM) vid Linköpings universitet (LiU). Han fick doktorsexamen i fysik vid National Sun Yat-Sen University, Taiwan, 2004.
Hans doktorandstudie om tillväxten av GaN-nanoroder genom plasmastödd molekylstråleepitaxi (PAMBE) var en banbrytande forskning inom området nanoteknik. Efter doktorsexamen gjorde han fyra år postdoc vid Center for Condensed Matter Sciences, National Taiwan University, Taiwan. 2008 tilldelade han enastående stipendium för postdoc-stipendier under National Science Council (Now, Ministry of Science and Technology) för att utveckla icke-polär InN med PAMBE. Efter 2009 arbetade han som postdoktor, biträdande professor, huvudforskningsingenjör och universitetslektor vid IFM, LiU.
Docent Dr. Ching-Lien Hsiaos forskning fokuserar på utvecklingen av elektroniska klass III-nitrid halvledare, AlN, GaN och InN, tunna filmer och nanostrukturer av magnetron sputter epitaxy (MSE) för framtida industriell produktion. Under tiden studerar han också bildningsmekanismerna för nanostrukturer och utvecklar optiska element med hjälp av komplexa nanostrukturer som odlas med MSE och blickvinkeldeposition.
Ching-Lien Hsiao har publicerat mer än 70 vetenskapliga artiklar. Hans forskning lockar uppmärksamhet och stöds av flera finansieringsinstitutioner i Sverige, såsom Vetenskapsrådet, Energimyndigheten, Olle Engkvists Stiftelse och STINT.
Hans doktorandstudie om tillväxten av GaN-nanoroder genom plasmastödd molekylstråleepitaxi (PAMBE) var en banbrytande forskning inom området nanoteknik. Efter doktorsexamen gjorde han fyra år postdoc vid Center for Condensed Matter Sciences, National Taiwan University, Taiwan. 2008 tilldelade han enastående stipendium för postdoc-stipendier under National Science Council (Now, Ministry of Science and Technology) för att utveckla icke-polär InN med PAMBE. Efter 2009 arbetade han som postdoktor, biträdande professor, huvudforskningsingenjör och universitetslektor vid IFM, LiU.
Docent Dr. Ching-Lien Hsiaos forskning fokuserar på utvecklingen av elektroniska klass III-nitrid halvledare, AlN, GaN och InN, tunna filmer och nanostrukturer av magnetron sputter epitaxy (MSE) för framtida industriell produktion. Under tiden studerar han också bildningsmekanismerna för nanostrukturer och utvecklar optiska element med hjälp av komplexa nanostrukturer som odlas med MSE och blickvinkeldeposition.
Ching-Lien Hsiao har publicerat mer än 70 vetenskapliga artiklar. Hans forskning lockar uppmärksamhet och stöds av flera finansieringsinstitutioner i Sverige, såsom Vetenskapsrådet, Energimyndigheten, Olle Engkvists Stiftelse och STINT.
