2023 Ivan Shtepliuk, Jing-Xin Jian, Nikolaos Pliatsikas, Emanuela Schiliro, Tihomir Iakimov, Gholamreza Yazdi, Ivan Gueorguiev Ivanov, Filippo Giannazzo, Kostas Sarakinos, Rositsa Yakimova (2023) Electrochemical performance of gold-decorated graphene electrodes integrated with SiC Microelectronic Engineering, Vol. 278, Artikel 112042 Vidare till DOI 2022 Joel Davidsson, Rohit Babar, Danial Shafizadeh, Ivan Gueorguiev Ivanov, Viktor Ivády, Rickard Armiento, Igor A. Abrikosov (2022) Exhaustive characterization of modified Si vacancies in 4H-SiC Nanophotonics, Vol. 11, s. 4565-4580 Vidare till DOI Son Phuong Le, Chih-Wei Hsu, Ivan Martinovic, Ivan Gueorguiev Ivanov, Per-Olof Holtz (2022) GaN-based light-emitting materials prepared by hot-wall metal-organic chemical vapor deposition Applied Physics A: Materials Science & Processing, Vol. 128 Vidare till DOI Ivan Shtepliuk, Mikhail Vagin, Ziyauddin Khan, Alexei A. Zakharov, Tihomir Iakimov, Filippo Giannazzo, Ivan Gueorguiev Ivanov, Rositsa Yakimova (2022) Understanding of the Electrochemical Behavior of Lithium at Bilayer-Patched Epitaxial Graphene/4H-SiC Nanomaterials, Vol. 12 Vidare till DOI Son Tien Nguyen, Danial Shafizadeh, T. Ohshima, Ivan Gueorguiev Ivanov (2022) Modified divacancies in 4H-SiC Journal of Applied Physics, Vol. 132 Vidare till DOI
Ivan Shtepliuk, Jing-Xin Jian, Nikolaos Pliatsikas, Emanuela Schiliro, Tihomir Iakimov, Gholamreza Yazdi, Ivan Gueorguiev Ivanov, Filippo Giannazzo, Kostas Sarakinos, Rositsa Yakimova (2023) Electrochemical performance of gold-decorated graphene electrodes integrated with SiC Microelectronic Engineering, Vol. 278, Artikel 112042 Vidare till DOI
Joel Davidsson, Rohit Babar, Danial Shafizadeh, Ivan Gueorguiev Ivanov, Viktor Ivády, Rickard Armiento, Igor A. Abrikosov (2022) Exhaustive characterization of modified Si vacancies in 4H-SiC Nanophotonics, Vol. 11, s. 4565-4580 Vidare till DOI
Son Phuong Le, Chih-Wei Hsu, Ivan Martinovic, Ivan Gueorguiev Ivanov, Per-Olof Holtz (2022) GaN-based light-emitting materials prepared by hot-wall metal-organic chemical vapor deposition Applied Physics A: Materials Science & Processing, Vol. 128 Vidare till DOI
Ivan Shtepliuk, Mikhail Vagin, Ziyauddin Khan, Alexei A. Zakharov, Tihomir Iakimov, Filippo Giannazzo, Ivan Gueorguiev Ivanov, Rositsa Yakimova (2022) Understanding of the Electrochemical Behavior of Lithium at Bilayer-Patched Epitaxial Graphene/4H-SiC Nanomaterials, Vol. 12 Vidare till DOI
Son Tien Nguyen, Danial Shafizadeh, T. Ohshima, Ivan Gueorguiev Ivanov (2022) Modified divacancies in 4H-SiC Journal of Applied Physics, Vol. 132 Vidare till DOI
Halvledare med stort bandgap Vi stärker vår roll i utvecklingen av fasta tillstånds kvantsystem, såsom optiska aktiva spinnkvantbitar, kvantminnen och register.
Halvledarmaterial Material som studeras är bland annat kiselkarbid, nitrider och grafen. Ett stort forskningsområde är också hur tillverkningstekniken påverkar egenskaperna hos olika elektriska, optiska och magnetiska halvledare.
Institutionen för fysik, kemi och biologi (IFM) Vid Institutionen för fysik, kemi och biologi (IFM) bedrivs forskning och utbildning inom biologi, kemi, materialfysik, tillämpad fysik och teori och modellering.