Dessa är grundläggande element som krävs för olika tillämpningar inom kvantteknologi, t.ex. långdistans kvantkommunikation, kvantavkänning och kvantberäkning. Vår expertis sträcker sig från materialvetenskap, som inkluderar design och tillväxt av kvantkvalitetsmaterial (SiC, III-nitrider och andra halvledare) och strukturer för nanofotoniska och andra kvantanordningar, till karakterisering, kontroll och manipulation av optiska centrifugeringssignaler.
Halvledare med stort bandgap
Vi stärker vår roll i utvecklingen av fasta tillstånds kvantsystem, såsom optiska aktiva spinnkvantbitar, kvantminnen och register.
Publikationer
2026
Vanadium photoluminescence in 3C-SiC
Physical Review B, Vol. 113, Artikel 075201
(Artikel i tidskrift)
https://dx.doi.org/10.1103/nv8v-gwlv
2025
Identification of electrically active defects in 6H-SiC
Physical Review Materials, Vol. 9, Artikel 124601
(Artikel i tidskrift)
https://dx.doi.org/10.1103/qzfw-162p
Broadband Fourier transform spectroscopy of quantum emitters photoluminescence with sub-nanosecond temporal resolution
OPTICA QUANTUM, Vol. 3, s. 335-345
(Artikel i tidskrift)
https://dx.doi.org/10.1364/OPTICAQ.565729
Cavity enhancement of V2 centers in 4H-SiC with a fiber-based Fabry-Perot microcavity
OPTICA QUANTUM, Vol. 3, s. 175-181
(Artikel i tidskrift)
https://dx.doi.org/10.1364/OPTICAQ.557206
Comparative study of divacancies in 3C-, 4H-, and 6H-SiC
Applied Physics Letters, Vol. 127, Artikel 054003
(Artikel i tidskrift)
https://dx.doi.org/10.1063/5.0266909
Effect of substrate pretreatment on the epitaxial growth of ?-Ga2O3 layers on sapphire by halide vapor phase epitaxy
Journal of Crystal Growth, Vol. 668, Artikel 128289
(Artikel i tidskrift)
https://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2025.128289
Single V2 defect in 4H silicon carbide Schottky diode at low temperature
Nature Communications, Vol. 16, Artikel 4669
(Artikel i tidskrift)
https://dx.doi.org/10.1038/s41467-025-59647-9
Passivation of localized states in GaAs/GaNAs core/Shell nanowires by post-growth hydrogenation
Journal of Applied Physics, Vol. 137, Artikel 205703
(Artikel i tidskrift)
https://dx.doi.org/10.1063/5.0275610
Color Centers in Silicon Carbide for Quantum Technologies
(Doktorsavhandling, sammanläggning)
https://dx.doi.org/10.3384/9789181180879
Manipulating Electron Structure through Dual-Interface Engineering of 3C-SiC Photoanode for Enhanced Solar Water Splitting
Journal of the American Chemical Society, Vol. 147, s. 14815-14823
(Artikel i tidskrift)
https://dx.doi.org/10.1021/jacs.5c04005