Hem

Halvledare med stort bandgap

Grön laser

Vi stärker vår roll i utvecklingen av fasta tillstånds kvantsystem, såsom optiska aktiva spinnkvantbitar, kvantminnen och register.

Dessa är grundläggande element som krävs för olika tillämpningar inom kvantteknologi, t.ex. långdistans kvantkommunikation, kvantavkänning och kvantberäkning. Vår expertis sträcker sig från materialvetenskap, som inkluderar design och tillväxt av kvantkvalitetsmaterial (SiC, III-nitrider och andra halvledare) och strukturer för nanofotoniska och andra kvantanordningar, till karakterisering, kontroll och manipulation av optiska centrifugeringssignaler.

Publikationer

2025

Issam Belgacem, Pasquale Cilibrizzi, Muhammad Junaid Arshad, Daniel White, Malte Kroj, Christiaan Bekker, Margherita Mazzera, Brian D. Gerardot, Angelo C. Frangeskou, Gavin W. Morley, Son Tien Nguyen, Jawad Ul-Hassan, Takeshi Ohshima, Hiroshi Abe, Lorenzo Vinco, Dario Polli, Giulio Cerullo, Cristian Bonato (2025) Broadband Fourier transform spectroscopy of quantum emitters photoluminescence with sub-nanosecond temporal resolution OPTICA QUANTUM, Vol. 3, s. 335-345 (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI
Jannis Hessenauer, Jonathan Koerber, Misagh Ghezellou, Jawad Ul-Hassan, Georgy V. Astakhov, Wolfgang Knolle, Joerg Wrachtrup, David Hunger (2025) Cavity enhancement of V2 centers in 4H-SiC with a fiber-based Fabry-Perot microcavity OPTICA QUANTUM, Vol. 3, s. 175-181 (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI
Danial Shafizadeh, Joel Davidsson, Takeshi Ohshima, Son Tien Nguyen, Ivan Gueorguiev Ivanov (2025) Comparative study of divacancies in 3C-, 4H-, and 6H-SiC Applied Physics Letters, Vol. 127, Artikel 054003 (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI
Galia Pozina, Hsu Chih-Wei, Natalia Abrikossova, Carl Hemmingsson (2025) Effect of substrate pretreatment on the epitaxial growth of ?-Ga2O3 layers on sapphire by halide vapor phase epitaxy Journal of Crystal Growth, Vol. 668, Artikel 128289 (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI
Timo Steidl, Pierre Kuna, Erik Hesselmeier-Huttmann, Di Liu, Rainer Stohr, Wolfgang Knolle, Misagh Ghezellou, Jawad Ul-Hassan, Maximilian Schober, Michel Bockstedte, Guodong Bian, Gali Adam, Vadim Vorobyov, Joerg Wrachtrup (2025) Single V2 defect in 4H silicon carbide Schottky diode at low temperature Nature Communications, Vol. 16, Artikel 4669 (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI
Mattias Jansson, Valentyna Nosenko, Carl Hemmingsson, Galia Pozina, Fumitaro Ishikawa, Weimin Chen, Irina Buyanova (2025) Passivation of localized states in GaAs/GaNAs core/Shell nanowires by post-growth hydrogenation Journal of Applied Physics, Vol. 137, Artikel 205703 (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI
Danial Shafizadeh (2025) Color Centers in Silicon Carbide for Quantum Technologies
Hui Zeng, Satoru Yoshioka, Weimin Wang, Zhongyuan Han, Ivan Gueorguiev Ivanov, Hongwei Liang, Vanya Darakchieva, Jianwu Sun (2025) Manipulating Electron Structure through Dual-Interface Engineering of 3C-SiC Photoanode for Enhanced Solar Water Splitting Journal of the American Chemical Society, Vol. 147, s. 14815-14823 (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI
Danial Shafizadeh, Son Tien Nguyen, Igor Abrikosov, Ivan Gueorguiev Ivanov (2025) Evolution of the optically detected magnetic resonance spectra of divacancies in 4H-SiC from liquid-helium to room temperature Physical Review B, Vol. 111, Artikel 165201 (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI
Misagh Ghezellou, Jawad Ul-Hassan (2025) The critical role of hydrocarbon source and growth optimization for high-quality thick 4H-SiC epitaxial layers Journal of Crystal Growth, Vol. 661, Artikel 128165 (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI

Relaterat

LiU-UFBA nätverket

Ett forsknings- och utbildningsnätverk inom materialvetenskap mellan Linköpings universitet och Federal University of Bahia i Brazilien.

Kontakt

Enhetschef

Platshållare för saknad bild till Ivan Gueorguiev Ivanov

Ivan Gueorguiev Ivanov

Biträdande professor, Avdelningschef, Enhetschef

Medarbetare

Fotografi av Natalia Abrikossova
Natalia Abrikossova
Forskningsingenjör
Platshållare för saknad bild till Jayanta Bauri
Jayanta Bauri
Fotografi av Peder Bergman
Peder Bergman
Professor
Platshållare för saknad bild till Hsu Chih-Wei
Hsu Chih-Wei
Förste forskningsingenjör
Fotografi av Misagh Ghezellou
Misagh Ghezellou
Postdoktor
Fotografi av Carl Hemmingsson
Carl Hemmingsson
Biträdande professor
Platshållare för saknad bild till Per-Olof Holtz
Per-Olof Holtz
Professor emeritus
Platshållare för saknad bild till Ivan Gueorguiev Ivanov
Ivan Gueorguiev Ivanov
Biträdande professor, Avdelningschef, Enhetschef
Platshållare för saknad bild till Leif Johansson
Leif Johansson
Professor emeritus
Platshållare för saknad bild till Son Phuong Le
Son Phuong Le
Förste forskningsingenjör
Fotografi av Tien Son Nguyen
Tien Son Nguyen
Professor
Fotografi av Galia Pozina
Galia Pozina
Professor
Fotografi av Danial Shafizadeh
Danial Shafizadeh
Postdoktor
Platshållare för saknad bild till Einar Sveinbjörnsson
Einar Sveinbjörnsson
Fotografi av Han-Hui Tseng
Han-Hui Tseng
Platshållare för saknad bild till Roger Uhrberg
Roger Uhrberg
Professor emeritus
Fotografi av Jawad Ul-Hassan
Jawad Ul-Hassan
Universitetslektor

Organisation

Ett ljusgrönt tunt ark sänks ner i vatten.

Halvledarmaterial (HALV)

Halvledarmaterialavdelningen bedriver forskning och utveckling av nya material för ny elektronik med fokus på kiselkarbid, III-nitrider och grafen för grundläggande och applikationsmotiverade frågor av intresse för svensk och europeisk industri.

Institutionen för fysik, kemi och biologi (IFM)

Vid Institutionen för fysik, kemi och biologi (IFM) bedrivs forskning och utbildning inom biologi, kemi, materialfysik, tillämpad fysik och teori och modellering.

Taggar