Hem

Halvledare med stort bandgap

Grön laser

Vi stärker vår roll i utvecklingen av fasta tillstånds kvantsystem, såsom optiska aktiva spinnkvantbitar, kvantminnen och register.

Dessa är grundläggande element som krävs för olika tillämpningar inom kvantteknologi, t.ex. långdistans kvantkommunikation, kvantavkänning och kvantberäkning. Vår expertis sträcker sig från materialvetenskap, som inkluderar design och tillväxt av kvantkvalitetsmaterial (SiC, III-nitrider och andra halvledare) och strukturer för nanofotoniska och andra kvantanordningar, till karakterisering, kontroll och manipulation av optiska centrifugeringssignaler.

Publikationer

2024

Satoru Yoshioka, Kazuhiro Yasuda, Ching-Lien Hsiao, Chih-Wei Hsu, Weine Olovsson, Jens Birch, Carl Hemmingsson, Galia Pozina (2024) Local Structure of Zn Dopant in ß-Phase Ga2O3 The Journal of Physical Chemistry C (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI
Hui Zeng, Weimin Wang, Ivan Gueorguiev Ivanov, Vanya Darakchieva, Jianwu Sun (2024) Determination of the conduction and valence band offsets at the Co<sub>3</sub>O<sub>4</sub>/3C-SiC p-n heterojunction Applied Physics Letters, Vol. 125, Artikel 162102 (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI
Oscar Bulancea Lindvall, Joel Davidsson, Ivan Gueorguiev Ivanov, Adam Gali, Viktor Ivády, Rickard Armiento, Igor Abrikosov (2024) Temperature dependence of the AB lines and optical properties of the carbon-antisite-vacancy pair in 4⁢��−Si⁢C Physical Review Applied, Vol. 22, Artikel 034056 (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI
Alyssa Mock, Steffen Richter, Alexis Papamichail, Vallery Stanishev, Misagh Ghezellou, Jawad Ul-Hassan, Andreas Popp, Saud Bin Anooz, Daniela Gogova-Petrova, Praneeth Ranga, Sriram Krishnamoorthy, Rafal Korlacki, Mathias Schubert, Vanya Darakchieva (2024) Effective uniaxial dielectric function tensor and optical phonons in (¯2⁢01)-oriented ��-Ga2⁢O3 films with equally distributed sixfold-rotation domains Physical Review Applied, Vol. 22, Artikel 044003 (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI
Oscar Bulancea-Lindvall, Joel Davidsson, Ivan G. Ivanov, Adam Gali, Viktor Ivády, Rickard Armiento, Igor A. Abrikosov (2024) Temperature dependence of the AB lines and optical properties of the carbon--antisite-vacancy pair in 4H-SiC Physical Review Applied, Vol. 22, Artikel 034056 (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI
Erik Hesselmeier, Pierre Kuna, Wolfgang Knolle, Florian Kaiser, Son Tien Nguyen, Misagh Ghezellou, Jawad Ul-Hassan, Vadim Vorobyov, Jorg Wrachtrup (2024) High-Fidelity Optical Readout of a Nuclear-Spin Qubit in Silicon Carbide Physical Review Letters, Vol. 132, Artikel 180804 (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI
Yuanju Qu, Valdas Jokubavicius, Duc Quang Hoang, Xianjie Liu, Mats Fahlman, Ivan Gueorguiev Ivanov, Rositsa Yakimova, Jianwu W. Sun (2024) Aging Ni(OH)2 on 3C-SiC Photoanodes to Achieve a High Photovoltage of 1.1 V and Enhanced Stability for Solar Water Splitting in Strongly Alkaline Solutions ACS Applied Materials and Interfaces, Vol. 16, s. 50926-50936 (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI
Sachin Sharma, Laurent Souqui, Justinas Palisaitis, Duc Quang Hoang, Ivan Gueorguiev Ivanov, Per O A Persson, Hans Högberg, Henrik Pedersen (2024) On the origin of epitaxial rhombohedral-B4C growth by CVD on 4H-SiC Dalton Transactions, Vol. 53, s. 10730-10736 (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI
Jonathan Koerber, Jonah Heiler, Philipp Fuchs, Philipp Flad, Erik Hesselmeier, Pierre Kuna, Jawad Ul-Hassan, Wolfgang Knolle, Christoph Becher, Florian Kaiser, Joerg Wrachtrup (2024) Fluorescence Enhancement of Single V2 Centers in a 4H-SiC Cavity Antenna Nano Letters, Vol. 24, s. 9289-9295 (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI
Di Liu, Florian Kaiser, Vladislav Bushmakin, Erik Hesselmeier, Timo Steidl, Takeshi Ohshima, Son Tien Nguyen, Jawad Ul-Hassan, Oney O. Soykal, Jorg Wrachtrup (2024) The silicon vacancy centers in SiC: determination of intrinsic spin dynamics for integrated quantum photonics NPJ QUANTUM INFORMATION, Vol. 10, Artikel 72 (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI

Relaterat

LiU-UFBA nätverket

Ett forsknings- och utbildningsnätverk inom materialvetenskap mellan Linköpings universitet och Federal University of Bahia i Brazilien.

Kontakt

Enhetschef

Ivan Gueorguiev Ivanov

Biträdande professor, Avdelningschef, Enhetschef

Medarbetare

Fotografi av Natalia Abrikossova
Natalia Abrikossova
Forskningsingenjör
Fotografi av Sven Andersson
Sven Andersson
Forskningsingenjör
Fotografi av Peder Bergman
Peder Bergman
Professor
Hsu Chih-Wei
Förste forskningsingenjör
Fotografi av Chun-Xia Du
Chun-Xia Du
Förste forskningsingenjör
Fotografi av Misagh Ghezellou
Misagh Ghezellou
Doktorand
Fotografi av Carl Hemmingsson
Carl Hemmingsson
Biträdande professor
Per-Olof Holtz
Ivan Gueorguiev Ivanov
Biträdande professor, Avdelningschef, Enhetschef
Leif Johansson
Fotografi av Son Phuong Le
Son Phuong Le
Förste forskningsingenjör
Fotografi av Tien Son Nguyen
Tien Son Nguyen
Professor
Fotografi av Galia Pozina
Galia Pozina
Professor
Danial Shafizadeh
Doktorand
Fotografi av Hafiz Sohail
Hafiz Sohail
Einar Sveinbjörnsson
Adjungerad professor
Fotografi av Han-Hui Tseng
Han-Hui Tseng
Roger Uhrberg
Fotografi av Jawad Ul-Hassan
Jawad Ul-Hassan
Universitetslektor

Organisation

Ett ljusgrönt tunt ark sänks ner i vatten.

Halvledarmaterial (HALV)

Halvledarmaterialavdelningen bedriver forskning och utveckling av nya material för ny elektronik med fokus på kiselkarbid, III-nitrider och grafen för grundläggande och applikationsmotiverade frågor av intresse för svensk och europeisk industri.

Institutionen för fysik, kemi och biologi (IFM)

Vid Institutionen för fysik, kemi och biologi (IFM) bedrivs forskning och utbildning inom biologi, kemi, materialfysik, tillämpad fysik och teori och modellering.

Taggar