Halvledare med stort bandgap

Grön laser

Vi stärker vår roll i utvecklingen av fasta tillstånds kvantsystem, såsom optiska aktiva spinnkvantbitar, kvantminnen och register.

Dessa är grundläggande element som krävs för olika tillämpningar inom kvantteknologi, t.ex. långdistans kvantkommunikation, kvantavkänning och kvantberäkning. Vår expertis sträcker sig från materialvetenskap, som inkluderar design och tillväxt av kvantkvalitetsmaterial (SiC, III-nitrider och andra halvledare) och strukturer för nanofotoniska och andra kvantanordningar, till karakterisering, kontroll och manipulation av optiska centrifugeringssignaler.

Publikationer

2025

Misagh Ghezellou, Erlend Lemva Ousdal, Marianne Etzelmüller Bathen, Lasse Vines, Jawad ul-Hassan (2025) Influence of different hydrocarbons on impurities and minority carrier lifetime in 4H-SiC epitaxial layers Journal of Physics: Materials, Vol. 8, Artikel 025008 (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI
Misagh Ghezellou (2025) Epitaxial Growth of SiC via CVD for Power Electronics and Quantum Applications

2024

Satoru Yoshioka, Kazuhiro Yasuda, Ching-Lien Hsiao, Chih-Wei Hsu, Weine Olovsson, Jens Birch, Carl Hemmingsson, Galia Pozina (2024) Local Structure of Zn Dopant in ß-Phase Ga2O3 The Journal of Physical Chemistry C (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI
Hui Zeng, Weimin Wang, Ivan Gueorguiev Ivanov, Vanya Darakchieva, Jianwu Sun (2024) Determination of the conduction and valence band offsets at the Co3O4/3C-SiC p-n heterojunction Applied Physics Letters, Vol. 125, Artikel 162102 (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI
Oscar Bulancea Lindvall, Joel Davidsson, Ivan Gueorguiev Ivanov, Adam Gali, Viktor Ivády, Rickard Armiento, Igor Abrikosov (2024) Temperature dependence of the AB lines and optical properties of the carbon-antisite-vacancy pair in 4⁢��−Si⁢C Physical Review Applied, Vol. 22, Artikel 034056 (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI
Alyssa Mock, Steffen Richter, Alexis Papamichail, Vallery Stanishev, Misagh Ghezellou, Jawad Ul-Hassan, Andreas Popp, Saud Bin Anooz, Daniela Gogova-Petrova, Praneeth Ranga, Sriram Krishnamoorthy, Rafal Korlacki, Mathias Schubert, Vanya Darakchieva (2024) Effective uniaxial dielectric function tensor and optical phonons in (¯2⁢01)-oriented ��-Ga2⁢O3 films with equally distributed sixfold-rotation domains Physical Review Applied, Vol. 22, Artikel 044003 (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI
Oscar Bulancea-Lindvall, Joel Davidsson, Ivan G. Ivanov, Adam Gali, Viktor Ivády, Rickard Armiento, Igor A. Abrikosov (2024) Temperature dependence of the AB lines and optical properties of the carbon--antisite-vacancy pair in 4H-SiC Physical Review Applied, Vol. 22, Artikel 034056 (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI
Erik Hesselmeier, Pierre Kuna, Wolfgang Knolle, Florian Kaiser, Son Tien Nguyen, Misagh Ghezellou, Jawad Ul-Hassan, Vadim Vorobyov, Jorg Wrachtrup (2024) High-Fidelity Optical Readout of a Nuclear-Spin Qubit in Silicon Carbide Physical Review Letters, Vol. 132, Artikel 180804 (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI
Yuanju Qu, Valdas Jokubavicius, Duc Quang Hoang, Xianjie Liu, Mats Fahlman, Ivan Gueorguiev Ivanov, Rositsa Yakimova, Jianwu W. Sun (2024) Aging Ni(OH)2 on 3C-SiC Photoanodes to Achieve a High Photovoltage of 1.1 V and Enhanced Stability for Solar Water Splitting in Strongly Alkaline Solutions ACS Applied Materials and Interfaces, Vol. 16, s. 50926-50936 (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI
Sachin Sharma, Laurent Souqui, Justinas Palisaitis, Duc Quang Hoang, Ivan Gueorguiev Ivanov, Per O A Persson, Hans Högberg, Henrik Pedersen (2024) On the origin of epitaxial rhombohedral-B4C growth by CVD on 4H-SiC Dalton Transactions, Vol. 53, s. 10730-10736 (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI

Relaterat

Kontakt

Organisation