Halvledare med stort bandgap

Grön laser

Vi stärker vår roll i utvecklingen av fasta tillstånds kvantsystem, såsom optiska aktiva spinnkvantbitar, kvantminnen och register.

Dessa är grundläggande element som krävs för olika tillämpningar inom kvantteknologi, t.ex. långdistans kvantkommunikation, kvantavkänning och kvantberäkning. Vår expertis sträcker sig från materialvetenskap, som inkluderar design och tillväxt av kvantkvalitetsmaterial (SiC, III-nitrider och andra halvledare) och strukturer för nanofotoniska och andra kvantanordningar, till karakterisering, kontroll och manipulation av optiska centrifugeringssignaler.

Publikationer

2025

Timo Steidl, Pierre Kuna, Erik Hesselmeier-Huttmann, Di Liu, Rainer Stohr, Wolfgang Knolle, Misagh Ghezellou, Jawad Ul-Hassan, Maximilian Schober, Michel Bockstedte, Guodong Bian, Gali Adam, Vadim Vorobyov, Joerg Wrachtrup (2025) Single V2 defect in 4H silicon carbide Schottky diode at low temperature Nature Communications, Vol. 16, Artikel 4669 (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI
Mattias Jansson, Valentyna Nosenko, Carl Hemmingsson, Galia Pozina, Fumitaro Ishikawa, Weimin Chen, Irina Buyanova (2025) Passivation of localized states in GaAs/GaNAs core/Shell nanowires by post-growth hydrogenation Journal of Applied Physics, Vol. 137, Artikel 205703 (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI
Danial Shafizadeh (2025) Color Centers in Silicon Carbide for Quantum Technologies
Hui Zeng, Satoru Yoshioka, Weimin Wang, Zhongyuan Han, Ivan Gueorguiev Ivanov, Hongwei Liang, Vanya Darakchieva, Jianwu Sun (2025) Manipulating Electron Structure through Dual-Interface Engineering of 3C-SiC Photoanode for Enhanced Solar Water Splitting Journal of the American Chemical Society, Vol. 147, s. 14815-14823 (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI
Danial Shafizadeh, Son Tien Nguyen, Igor Abrikosov, Ivan Gueorguiev Ivanov (2025) Evolution of the optically detected magnetic resonance spectra of divacancies in 4H-SiC from liquid-helium to room temperature Physical Review B, Vol. 111, Artikel 165201 (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI
Misagh Ghezellou, Jawad Ul-Hassan (2025) The critical role of hydrocarbon source and growth optimization for high-quality thick 4H-SiC epitaxial layers Journal of Crystal Growth, Vol. 661, Artikel 128165 (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI
Misagh Ghezellou, Erlend Lemva Ousdal, Marianne Etzelmüller Bathen, Lasse Vines, Jawad ul-Hassan (2025) Influence of different hydrocarbons on impurities and minority carrier lifetime in 4H-SiC epitaxial layers Journal of Physics: Materials, Vol. 8, Artikel 025008 (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI
Misagh Ghezellou (2025) Epitaxial Growth of SiC via CVD for Power Electronics and Quantum Applications

2024

Satoru Yoshioka, Kazuhiro Yasuda, Ching-Lien Hsiao, Chih-Wei Hsu, Weine Olovsson, Jens Birch, Carl Hemmingsson, Galia Pozina (2024) Local Structure of Zn Dopant in ß-Phase Ga2O3 The Journal of Physical Chemistry C (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI
Hui Zeng, Weimin Wang, Ivan Gueorguiev Ivanov, Vanya Darakchieva, Jianwu Sun (2024) Determination of the conduction and valence band offsets at the Co3O4/3C-SiC p-n heterojunction Applied Physics Letters, Vol. 125, Artikel 162102 (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI

Relaterat

Kontakt

Organisation