Dessa är grundläggande element som krävs för olika tillämpningar inom kvantteknologi, t.ex. långdistans kvantkommunikation, kvantavkänning och kvantberäkning. Vår expertis sträcker sig från materialvetenskap, som inkluderar design och tillväxt av kvantkvalitetsmaterial (SiC, III-nitrider och andra halvledare) och strukturer för nanofotoniska och andra kvantanordningar, till karakterisering, kontroll och manipulation av optiska centrifugeringssignaler.
Halvledare med stort bandgap
Vi stärker vår roll i utvecklingen av fasta tillstånds kvantsystem, såsom optiska aktiva spinnkvantbitar, kvantminnen och register.
Publikationer
2026
Epitaxial MgSnN2 on 4H-SiC (0001): An Earth-Abundant Nitride for Green Optoelectronics and Photovoltaics
Advanced Optical Materials
(Artikel i tidskrift)
https://dx.doi.org/10.1002/adom.71758
Thermal performance of a compact cryostat with an in-vacuum objective for color center spin-photon interfaces in silicon carbide
Current applied physics, Vol. 90, s. 29-39
(Artikel i tidskrift)
https://dx.doi.org/10.1016/j.cap.2026.06.011
Unraveling the Electronic Structure of Silicon Vacancy Centers in 4H-SiC
Advanced Functional Materials, Vol. 36, Artikel e76183
(Artikel i tidskrift)
https://dx.doi.org/10.1002/adfm.76183
Growth and optical properties of polar-, nonpolar, and semi-polar wurtzite ScGaN films
Applied Physics Letters, Vol. 129, Artikel 031902
(Artikel i tidskrift)
https://dx.doi.org/10.1063/5.0325421
Vanadium photoluminescence in 3C-SiC
Physical Review B, Vol. 113, Artikel 075201
(Artikel i tidskrift)
https://dx.doi.org/10.1103/nv8v-gwlv
2025
Defect engineering and charge state control of color centers in silicon carbide
Nanophotonics with Diamond and Silicon Carbide for Quantum Technologies, s. 277-299
(Kapitel i bok, del av antologi)
https://dx.doi.org/10.1016/B978-0-443-13717-4.00015-3
Identification of electrically active defects in 6H-SiC
Physical Review Materials, Vol. 9, Artikel 124601
(Artikel i tidskrift)
https://dx.doi.org/10.1103/qzfw-162p
Broadband Fourier transform spectroscopy of quantum emitters photoluminescence with sub-nanosecond temporal resolution
OPTICA QUANTUM, Vol. 3, s. 335-345
(Artikel i tidskrift)
https://dx.doi.org/10.1364/OPTICAQ.565729
Cavity enhancement of V2 centers in 4H-SiC with a fiber-based Fabry-Perot microcavity
OPTICA QUANTUM, Vol. 3, s. 175-181
(Artikel i tidskrift)
https://dx.doi.org/10.1364/OPTICAQ.557206
Comparative study of divacancies in 3C-, 4H-, and 6H-SiC
Applied Physics Letters, Vol. 127, Artikel 054003
(Artikel i tidskrift)
https://dx.doi.org/10.1063/5.0266909