Hem

Halvledare med stort bandgap

Grön laser

Vi stärker vår roll i utvecklingen av fasta tillstånds kvantsystem, såsom optiska aktiva spinnkvantbitar, kvantminnen och register.

Dessa är grundläggande element som krävs för olika tillämpningar inom kvantteknologi, t.ex. långdistans kvantkommunikation, kvantavkänning och kvantberäkning. Vår expertis sträcker sig från materialvetenskap, som inkluderar design och tillväxt av kvantkvalitetsmaterial (SiC, III-nitrider och andra halvledare) och strukturer för nanofotoniska och andra kvantanordningar, till karakterisering, kontroll och manipulation av optiska centrifugeringssignaler.

Publikationer

2024

Danial Shafizadeh, Joel Davidsson, Takeshi Ohshima, Igor Abrikosov, Son Tien Nguyen, Ivan Gueorguiev Ivanov (2024) Selection rules in the excitation of the divacancy and the nitrogen-vacancy pair in 4H- and 6H-SiC Physical Review B, Vol. 109, Artikel 235203 Vidare till DOI
Galia Pozina, Elizaveta I Girshova, Natalia Abrikossova, Carl Hemmingsson, Erkki Lahderanta, Mikhail Kaliteevski (2024) Fröhlich resonance splitting in hybrid GaN nanowire-Ag nanoparticle structures New Journal of Physics, Vol. 26, Artikel 053028 Vidare till DOI
Thomas Astner, Philipp Koller, Carmem M. Gilardoni, Joop Hendriks, Nguyen Tien Son, Ivan Gueorguiev Ivanov, Jawad Ul-Hassan, Caspar H. van der Wal, Michael Trupke (2024) Vanadium in silicon carbide: telecom-ready spin centres with long relaxation lifetimes and hyperfine-resolved optical transitions QUANTUM SCIENCE AND TECHNOLOGY, Vol. 9, Artikel 035038 Vidare till DOI
Marcel Krumrein, Raphael Nold, Flavie Davidson-Marquis, Arthur Bouamra, Lukas Niechziol, Timo Steidl, Ruoming Peng, Jonathan Koerber, Rainer Stoehr, Nils Gross, Jurgen H. Smet, Jawad Ul-Hassan, Peter Udvarhelyi, Adam Gali, Florian Kaiser, Joerg Wrachtrup (2024) Precise Characterization of a Waveguide Fiber Interface in Silicon Carbide ACS Photonics Vidare till DOI
Marianne Etzelmueller Bathen, Piyush Kumar, Misagh Ghezellou, Manuel Belanche, Lasse Vines, Jawad Ul-Hassan, Ulrike Grossner (2024) Dual configuration of shallow acceptor levels in 4H-SiC Materials Science in Semiconductor Processing, Vol. 177, Artikel 108360 Vidare till DOI
Jonah Heiler, Jonathan Korber, Erik Hesselmeier, Pierre Kuna, Rainer Stohr, Philipp Fuchs, Misagh Ghezellou, Jawad Ul-Hassan, Wolfgang Knolle, Christoph Becher, Florian Kaiser, Jorg Wrachtrup (2024) Correction: Spectral stability of V2 centres in sub-micron 4H-SiC membranes (vol 9, 34, 2024) NPJ QUANTUM MATERIALS, Vol. 9, Artikel 39 Vidare till DOI
Sachin Sharma, Justinas Palisaitis, Ivan Gueorguiev Ivanov, Per O A Persson, Henrik Pedersen, Hans Högberg (2024) The Influence of Carbon on Polytype and Growth Stability of Epitaxial Hexagonal Boron Nitride Films Advanced Materials Interfaces Vidare till DOI
Jonah Heiler, Jonathan Koerber, Erik Hesselmeier, Pierre Kuna, Rainer Stoehr, Philipp Fuchs, Misagh Ghezellou, Jawad Ul-Hassan, Wolfgang Knolle, Christoph Becher, Florian Kaiser, Joerg Wrachtrup (2024) Spectral stability of V2 centres in sub-micron 4H-SiC membranes NPJ QUANTUM MATERIALS, Vol. 9, Artikel 34 Vidare till DOI
Erik Hesselmeier, Pierre Kuna, István Takács, Viktor Ivády, Wolfgang Knolle, Son Tien Nguyen, Misagh Ghezellou, Jawad ul-Hassan, Durga Dasari, Florian Kaiser, Vadim Vorobyov, Jörg Wrachtrup (2024) Qudit-Based Spectroscopy for Measurement and Control of Nuclear-Spin Qubits in Silicon Carbide Physical Review Letters, Vol. 132, Artikel 090601 Vidare till DOI
Misagh Ghezellou, Jawad ul-Hassan (2024) Influence of Different Hydrocarbons on Chemical Vapor Deposition Growth and Surface Morphological Defects in 4H‐SiC Epitaxial Layers Physica status solidi. B, Basic research Vidare till DOI

Relaterat

LiU-UFBA nätverket

Ett forsknings- och utbildningsnätverk inom materialvetenskap mellan Linköpings universitet och Federal University of Bahia i Brazilien.

Kontakt

Enhetschef

Ivan Gueorguiev Ivanov

Biträdande professor, Avdelningschef, Enhetschef

Medarbetare

Fotografi av Natalia Abrikossova
Natalia Abrikossova
Forskningsingenjör
Fotografi av Peder Bergman
Peder Bergman
Professor
Hsu Chih-Wei
Förste forskningsingenjör
Fotografi av Chun-Xia Du
Chun-Xia Du
Förste forskningsingenjör
Fotografi av Misagh Ghezellou
Misagh Ghezellou
Doktorand
Fotografi av Carl Hemmingsson
Carl Hemmingsson
Biträdande professor
Fotografi av Duc Quang Hoang
Duc Quang Hoang
Per-Olof Holtz
Ivan Gueorguiev Ivanov
Biträdande professor, Avdelningschef, Enhetschef
Leif Johansson
Fotografi av Son Phuong Le
Son Phuong Le
Förste forskningsingenjör
Fotografi av Tien Son Nguyen
Tien Son Nguyen
Professor
Fotografi av Galia Pozina
Galia Pozina
Professor
Danial Shafizadeh
Doktorand
Einar Sveinbjörnsson
Adjungerad professor
Fotografi av Han-Hui Tseng
Han-Hui Tseng
Roger Uhrberg
Fotografi av Jawad Ul-Hassan
Jawad Ul-Hassan
Universitetslektor

Organisation

Ett ljusgrönt tunt ark sänks ner i vatten.

Halvledarmaterial (HALV)

Halvledarmaterialavdelningen bedriver forskning och utveckling av nya material för ny elektronik med fokus på kiselkarbid, III-nitrider och grafen för grundläggande och applikationsmotiverade frågor av intresse för svensk och europeisk industri.

Institutionen för fysik, kemi och biologi (IFM)

Vid Institutionen för fysik, kemi och biologi (IFM) bedrivs forskning och utbildning inom biologi, kemi, materialfysik, tillämpad fysik och teori och modellering.

Taggar