2023 Misagh Ghezellou, Piyush Kumar, Marianne E. Bathen, Robert Karsthof, Einar Sveinbjörnsson, Ulrike Grossner, Peder Bergman, Lasse Vines, Jawad ul-Hassan (2023) The role of boron related defects in limiting charge carrier lifetime in 4H-SiC epitaxial layers APL Materials, Vol. 11, Artikel 031107 Vidare till DOI 2018 Hussein M. Ayedh, Marianne E. Baathen, Augustinas Galeckas, Jawad ul-Hassan, Peder Bergman, Roberta Nipoti, Anders Hallen, Bengt G Svensson (2018) (Invited) Controlling the Carbon Vacancy in 4H-SiC by Thermal Processing 2017 Louise Lilja, Ildiko Farkas, Ian Booker, Jawad ul-Hassan, Erik Janzén, Peder Bergman (2017) Influence of n-Type Doping Levels on Carrier Lifetime in 4H-SiC Epitaxial Layers Silicon Carbide and Related Materials 2016, s. 238-241 Vidare till DOI 2016 Louise Lilja, Jawad ul-Hassan, Erik Janzén, Peder Bergman (2016) Smooth 4H-SiC epilayers grown with high growth rates with silane/propane chemistry using 4° off-cut substrates Silicon Carbide and Related Materials 2015, s. 209-212 Vidare till DOI H. A. A. Seed Ahmed, H. C. Swart, Peder Bergman, R. E. Kroon (2016) Concentration quenching of Eu2+ doped Ca2BO3Cl Materials research bulletin, Vol. 75, s. 47-50 Vidare till DOI
Misagh Ghezellou, Piyush Kumar, Marianne E. Bathen, Robert Karsthof, Einar Sveinbjörnsson, Ulrike Grossner, Peder Bergman, Lasse Vines, Jawad ul-Hassan (2023) The role of boron related defects in limiting charge carrier lifetime in 4H-SiC epitaxial layers APL Materials, Vol. 11, Artikel 031107 Vidare till DOI
Hussein M. Ayedh, Marianne E. Baathen, Augustinas Galeckas, Jawad ul-Hassan, Peder Bergman, Roberta Nipoti, Anders Hallen, Bengt G Svensson (2018) (Invited) Controlling the Carbon Vacancy in 4H-SiC by Thermal Processing
Louise Lilja, Ildiko Farkas, Ian Booker, Jawad ul-Hassan, Erik Janzén, Peder Bergman (2017) Influence of n-Type Doping Levels on Carrier Lifetime in 4H-SiC Epitaxial Layers Silicon Carbide and Related Materials 2016, s. 238-241 Vidare till DOI
Louise Lilja, Jawad ul-Hassan, Erik Janzén, Peder Bergman (2016) Smooth 4H-SiC epilayers grown with high growth rates with silane/propane chemistry using 4° off-cut substrates Silicon Carbide and Related Materials 2015, s. 209-212 Vidare till DOI
H. A. A. Seed Ahmed, H. C. Swart, Peder Bergman, R. E. Kroon (2016) Concentration quenching of Eu2+ doped Ca2BO3Cl Materials research bulletin, Vol. 75, s. 47-50 Vidare till DOI
Halvledare med stort bandgap Vi stärker vår roll i utvecklingen av fasta tillstånds kvantsystem, såsom optiska aktiva spinnkvantbitar, kvantminnen och register.
Halvledarmaterial (HALV) Halvledarmaterialavdelningen bedriver forskning och utveckling av nya material för ny elektronik med fokus på kiselkarbid, III-nitrider och grafen för grundläggande och applikationsmotiverade frågor av intresse för svensk och europeisk industri.
Institutionen för fysik, kemi och biologi (IFM) Vid Institutionen för fysik, kemi och biologi (IFM) bedrivs forskning och utbildning inom biologi, kemi, materialfysik, tillämpad fysik och teori och modellering.