Enheten för materialoptik

Fotograf: Olov Planthaber

Materialoptik är en enhet vid avdelningen Tunnfilmsfysik. Vi använder polarisationsoptik för att bestämma materials optiska egenskaper och för att studera avancerade nanostrukturer. I The LiU Spectroscopic Ellipsometry Laboratory (The LiUSE-lab) har vi en samling mycket fina instrument för våra polarisationsstudier.

Vår forskning inkluderar studier av biologiska material där vi framför allt är intresserade av kirala strukturer som vi ofta finner i skalbaggsskal. Med biomimetiska angreppssätt tillverkar vi sedan fotoniska strukturer inspirerade av de naturliga strukturerna. I andra projekt undersöker vi nya optiska komponenter baserade på flytande kristaller.

2026

Chun-Chia Chang, Sheng-Ti Chung, Ching-Ho Tien, Siddharth Rana, Kenneth Järrendahl, Ching-Lien Hsiao, Yu-Chen Yang, Kun-Lin Lin, Irmantas Kasalynas, Ray-Hua Horng (2026) Enabled enhancement mode ß-Ga2O3 MOSFETs with high-? HfO2 gate dielectric and non-recess structure Materials Today Advances, Vol. 30, Artikel 100760 (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI
Marcus Lorentzon, Kenneth Järrendahl, Roger Magnusson, Jens Birch, Naureen Ghafoor (2026) Hf1-xAlxNy: A versatile material system for visible-range anti-reflection and high-reflection optical coatings Materials Today Communications, Vol. 52, Artikel 114960 (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI
A. Lishchuk, J. Lebourg, N. Lishchuk, A. Campanella, Hans Arwin, A. Nabok (2026) Strong exciton-plexciton coupling in nickel phthalocyanine thin films on gold Journal of Applied Physics, Vol. 139, Artikel 083104 (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI
Chun-Chia Chang, Sheng-Ti Chung, Siddharth Rana, Kenneth Järrendahl, Ching-Lien Hsiao, Ray-Hua Horng (2026) Performance study of non-recess structure for ß-Ga2O3 MOSFETs applications Results in Engineering (RINENG), Vol. 29, Artikel 108757 (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI

2025

Ching-Hsuan Lee, Sheng-Ti Chung, Chien-Nan Hsiao, Po-Hsun Chen, Po-Liang Liu, Kenneth Järrendahl, Ching-Lien Hsiao, Ray-Hua Horng (2025) Substrate Off-Cut Effect on the Performance of Enhancement-Mode ß-Ga2O3 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors ACS Applied Electronic Materials, Vol. 7, s. 11229-11239 (Artikel i tidskrift) Vidare till DOI

Kontakt

Tillbaka till Tunnfilmsfysik