Vanya Darakchieva

Professor, Enhetschef

Publikationer

2026

Yu-Hsuan Hsu, Roger Magnusson, Rohini Sanikop, Shailesh Kalal, Justinas Palisaitis, Sagar Jathar, Katrin Pingen, Per Sandström, Issa Nseir, Arnaud le Febvrier, Urban Forsberg, Ray-Hua Horng, Kenneth Järrendahl, Per Eklund, Vanya Darakchieva, Jens Birch, Ching-Lien Hsiao (2026)

Growth and optical properties of polar-, nonpolar, and semi-polar wurtzite ScGaN films Applied Physics Letters, Vol. 129, Artikel 031902 (Artikel i tidskrift)

https://dx.doi.org/10.1063/5.0325421

Navya Sri Garigapati, Byeongchan So, Mikael Bjork, Muhammad Nawaz, Vanya Darakchieva, Erik Lind (2026)

a-plane GaN-based fully vertical FinFETs with normally-off operation Semiconductor Science and Technology, Vol. 41, Artikel 055006 (Artikel i tidskrift)

https://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/ae6364

Preston Sorensen, Alyssa Mock, Megan Stokey, Ufuk Kilic, Akhil Mauze, Yuewei Zhang, James Speck, Zbigniew Galazka, Vanya Darakchieva, Mathias Schubert (2026)

Evolution of the below-bandgap anisotropic refractive indices and dielectric functions of ß-(AlxGa1-x)2O3 (0 < x < 0.25) determined by generalized spectroscopic ellipsometry Applied Physics Letters, Vol. 128, Artikel 122104 (Artikel i tidskrift)

https://dx.doi.org/10.1063/5.0320403

N. S. Garigapati, A. Logotheti, B. So, J. Malm, P. Prystawko, I. Grzegory, M. Nawaz, M. Bjork, Vanya Darakchieva, E. Lind (2026)

AlGaN (2.5%) fully vertical FinFETs: Influence of m- and a-plane substrate alignments Applied Physics Letters, Vol. 128, Artikel 112109 (Artikel i tidskrift)

https://dx.doi.org/10.1063/5.0310395

Navya Sri Garigapati, Adamantia Logotheti, Byeongchan So, Jovana Malm, Pawel Prystawko, Izabella Grzegory, Muhammad Nawaz, Mikael Bjork, Vanya Darakchieva, Erik Lind (2026)

Gate resistance thermometry measurements on fully vertical AlGaN (2.5%) FinFETs Applied Physics Letters, Vol. 128, Artikel 062104 (Artikel i tidskrift)

https://dx.doi.org/10.1063/5.0309620

Forskning

Halvledar- och komponentmaterial

Den här enheten arbetar med att utveckla nya halvledarmaterial för högfrekvent- och kraftelektronik

Nyheter

Två pipetter sprutar ut vätskor som blandas på en skiva.

Materialforskning för en hållbar framtid i tio nya projekt

Fotosyntetiska material, tvådimensionella ädelmetaller och hållbara halvledare är några av de projekt vid Linköpings universitet som beviljats bidrag från forskningsprogrammet Wallenberg initiative materials science for sustainability – Wise.

Drygt 46 miljoner kronor till fyra LiU-forskare

Av 20 beviljade anslag av Vetenskapsrådets nya Konsolideringsbidrag till framstående yngre forskare gick fyra till Linköpings universitet. De får nu tillsammans drygt 46 miljoner, fördelade på sex år.

Organisation

Ett ljusgrönt tunt ark sänks ner i vatten.

Halvledarmaterial (HALV)

Halvledarmaterialavdelningen bedriver forskning och utveckling av nya material för ny elektronik med fokus på kiselkarbid, III-nitrider och grafen för grundläggande och applikationsmotiverade frågor av intresse för svensk och europeisk industri.

Person med transmissionselektronmikroskop.

Institutionen för fysik, kemi och biologi (IFM)

Vid Institutionen för fysik, kemi och biologi (IFM) bedrivs forskning och utbildning inom biologi, kemi, materialfysik, tillämpad fysik och teori och modellering.