2023 Alexis Papamichail, Axel Persson, Steffen Richter, Philipp Kuhne, Vallery Stanishev, Per O A Persson, R. Ferrand-Drake Del Castillo, M. Thorsell, H. Hjelmgren, Plamen Paskov, N. Rorsman, Vanya Darakchieva (2023) Tuning composition in graded AlGaN channel HEMTs toward improved linearity for low-noise radio-frequency amplifiers Applied Physics Letters, Vol. 122, Artikel 153501 Vidare till DOI Philipp Gribisch, Rosalia Delgado Carrascon, Vanya Darakchieva, Erik Lind (2023) Tuning of Quasi-Vertical GaN FinFETs Fabricated on SiC Substrates IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 70, s. 2408-2414 Vidare till DOI Hengfang Zhang, Ingemar Persson, Jr-Tai Chen, Alexis Papamichail, Dat Tran, Per O A Persson, Plamen P. Paskov, Vanya Darakchieva (2023) Polarity Control by Inversion Domain Suppression in N-Polar III-Nitride Heterostructures Crystal Growth & Design, Vol. 23, s. 1049-1056 Vidare till DOI 2022 Rafal Korlacki, Matthew Hilfiker, Jenna Knudtson, Megan Stokey, Ufuk Kilic, Akhil Mauze, Yuewei Zhang, James Speck, Vanya Darakchieva, Mathias Schubert (2022) Strain and Composition Dependencies of the Near-Band-Gap Optical Transitions in Monoclinic (AlxGa1-x)2O3 Alloys with Coherent Biaxial In-Plane Strain on Ga2O3(010) Physical Review Applied, Vol. 22, Artikel 064019 Vidare till DOI Rosalia Delgado Carrascon, Steffen Richter, Muhammad Nawaz, Plamen Paskov, Vanya Darakchieva (2022) Hot-Wall MOCVD for High-Quality Homoepitaxy of GaN: Understanding Nucleation and Design of Growth Strategies Crystal Growth & Design Vidare till DOI
Alexis Papamichail, Axel Persson, Steffen Richter, Philipp Kuhne, Vallery Stanishev, Per O A Persson, R. Ferrand-Drake Del Castillo, M. Thorsell, H. Hjelmgren, Plamen Paskov, N. Rorsman, Vanya Darakchieva (2023) Tuning composition in graded AlGaN channel HEMTs toward improved linearity for low-noise radio-frequency amplifiers Applied Physics Letters, Vol. 122, Artikel 153501 Vidare till DOI
Philipp Gribisch, Rosalia Delgado Carrascon, Vanya Darakchieva, Erik Lind (2023) Tuning of Quasi-Vertical GaN FinFETs Fabricated on SiC Substrates IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 70, s. 2408-2414 Vidare till DOI
Hengfang Zhang, Ingemar Persson, Jr-Tai Chen, Alexis Papamichail, Dat Tran, Per O A Persson, Plamen P. Paskov, Vanya Darakchieva (2023) Polarity Control by Inversion Domain Suppression in N-Polar III-Nitride Heterostructures Crystal Growth & Design, Vol. 23, s. 1049-1056 Vidare till DOI
Rafal Korlacki, Matthew Hilfiker, Jenna Knudtson, Megan Stokey, Ufuk Kilic, Akhil Mauze, Yuewei Zhang, James Speck, Vanya Darakchieva, Mathias Schubert (2022) Strain and Composition Dependencies of the Near-Band-Gap Optical Transitions in Monoclinic (AlxGa1-x)2O3 Alloys with Coherent Biaxial In-Plane Strain on Ga2O3(010) Physical Review Applied, Vol. 22, Artikel 064019 Vidare till DOI
Rosalia Delgado Carrascon, Steffen Richter, Muhammad Nawaz, Plamen Paskov, Vanya Darakchieva (2022) Hot-Wall MOCVD for High-Quality Homoepitaxy of GaN: Understanding Nucleation and Design of Growth Strategies Crystal Growth & Design Vidare till DOI
Halvledar- och komponentmaterial Den här enheten arbetar med att utveckla nya halvledarmaterial för högfrekvent- och kraftelektronik
68 miljoner till materialforskning Materialforskarna Vanya Darakchieva och Johanna Rosén får drygt 30 miljoner vardera från Stiftelsen för Strategisk Forskning. Forskningsprojekten är inriktade på att ta fram nya material som kan bidra till effektivare energisystem.
Drygt 46 miljoner kronor till fyra LiU-forskare Av 20 beviljade anslag av Vetenskapsrådets nya Konsolideringsbidrag till framstående yngre forskare gick fyra till Linköpings universitet. De får nu tillsammans drygt 46 miljoner, fördelade på sex år.
Unikt instrument lyser igenom det mesta Lågfrekvent ljus avslöjar inre strukturer och egenskaper i alla tänkbara material. Ett forskarteam har byggt en världsunik spektrometer som analyserar prover med elektromagnetiska vågor i terahertz-området - en biljon svängningar i sekunden.
30 miljoner till infrastruktur Vanya Darakchieva och Per Persson, båda på IFM, Institutionen för fysik, kemi och biologi, får 15 miljoner vardera från SSF för utbyggnad avforskningsinfrastruktur vid LiU.
Halvledarmaterial (HALV) Halvledarmaterialavdelningen bedriver forskning och utveckling av nya material för ny elektronik med fokus på kiselkarbid, III-nitrider och grafen för grundläggande och applikationsmotiverade frågor av intresse för svensk och europeisk industri.
Institutionen för fysik, kemi och biologi (IFM) Vid Institutionen för fysik, kemi och biologi (IFM) bedrivs forskning och utbildning inom biologi, kemi, materialfysik, tillämpad fysik och teori och modellering.